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元件参数资料
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参数目录49379
> PD20010-E TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
型号:
PD20010-E
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF FET
PD20010-E PDF
其它有关文件
PD20010-E View All Specifications
标准包装
50
系列
-
晶体管类型
LDMOS
频率
2GHz
增益
11dB
电压 - 测试
13.6V
额定电流
5A
噪音数据
-
电流 - 测试
150mA
功率 - 输出
10W
电压 - 额定
40V
封装/外壳
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
供应商设备封装
PowerSO-10RF(成形引线)
包装
管件
其它名称
497-13044-5
PD20010-E-ND
查看PD20010-E代理商
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